发明名称 METHOD FOR EVALUATING WARP IN WAFER AND METHOD FOR SELECTING WAFER
摘要 본 발명은, 웨이퍼의 휨을 평가하는 방법으로서, 흡착되어 있지 않은 프리 상태의 웨이퍼의 휨을 측정하는 제1의 공정과, 측정한 웨이퍼의 휨의 데이터를 사용하여, 웨이퍼 면내의 임의의 점 P를 통과하는 직선 상에 있고 점 P를 중심으로 하여 점 P로부터 거리 a만큼 떨어진 점 Q과 점 Q의 2점간의 웨이퍼 휨량 A와, 동일 직선 상에 있고 점 P를 중심으로 하여 점 P로부터 거리 a와는 다른 거리 b만큼 떨어진 점 R과 점 R의 2점간의 웨이퍼 휨량 B를 구하여, 웨이퍼 휨량 A 및 웨이퍼 휨량 B로부터 점 P에 있어서의 웨이퍼 휨량의 차이를 산출하는 제2의 공정을 가지고, 산출한 웨이퍼 휨량의 차이로부터 웨이퍼의 휨을 평가하는 방법이다. 이것에 의해, 웨이퍼를 흡착했을 때에 핀 척의 피치의 차이에 의해 생기는 휨의 수정정도의 차이를 나타내는 신규 파라미터를 도입하고, 이것을 사용하여 웨이퍼의 휨을 평가하는 방법이 제공된다.
申请公布号 KR20160145637(A) 申请公布日期 2016.12.20
申请号 KR20167030427 申请日期 2015.03.12
申请人 신에쯔 한도타이 가부시키가이샤 发明人 사이토, 히사유키
分类号 G03F7/20;G01B21/20;G03F7/30;H01L21/66 主分类号 G03F7/20
代理机构 代理人
主权项
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