| 发明名称 | 互补金属氧化物半导体工艺中的线性电容器结构 | ||
| 摘要 | 具有期望的恒定电容特性的累积电容器结构包括并联耦合的四个电容器。第一电容器包括与第一端子耦合的n型多晶硅顶极板、与第二端子耦合的第一累积/耗尽区底极板。第二电容器具有与第二端子耦合的n型多晶硅顶极板、与第一端子耦合的累积/耗尽区底极板。第三电容器具有与第一端子耦合的p型多晶硅顶极板、与第二端子耦合的累积/耗尽区底极板。第四电容器具有与第二端子耦合的p型多晶硅端子、与第一端子耦合的累积/耗尽区底极板。 | ||
| 申请公布号 | CN1296290A | 申请公布日期 | 2001.05.23 |
| 申请号 | CN00132939.1 | 申请日期 | 2000.11.08 |
| 申请人 | 摩托罗拉公司 | 发明人 | 马克·L.·塔拉比尔;约瑟夫·Y.·阐;杰弗里·B.·霍尔 |
| 分类号 | H01L27/092;H01L21/8238 | 主分类号 | H01L27/092 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 王永刚 |
| 主权项 | 1．一种累积电容器，具有第一累积电容器端子和第二累积电容器端子，其特征在于：第一电容器，具有与第一累积电容器端子耦合的n型多晶硅端子，和与第二累积电容器端子耦合的有源区端子；第二电容器，具有与第二累积电容器端子耦合的n型多晶硅端子，和与第一累积电容器端子耦合的有源区端子；第三电容器，具有与第一累积电容器端子耦合的p型多晶硅端子，和与第二累积电容器端子耦合的有源区端子；第四电容器，具有与第二累积电容器端子耦合的p型多晶硅端子，和与第一累积电容器端子耦合的有源区端子； | ||
| 地址 | 美国伊利诺斯 | ||