| 摘要 |
<p>L'invention concerne un circuit intégré à radio fréquence (RF). Dans un mode de réalisation, le circuit intégré comprend plusieurs couches métalliques formant plusieurs transistors sur un substrat non épitaxial. Les transistors ont une symétrie miroir et une symétrie à pas. Les lignes du signal RF se situent, par ailleurs, sur une couche métallique supérieure au-dessus de toutes les couches métalliques, et les plans de puissance et de sol se situent sur une couche métallique inférieure au-dessous de toutes les autres couches métalliques. Les couches métalliques inférieures et supérieures sont séparées par un blindage qui s'étend au-delà des lignes du signal RF d'une distance au moins égale à celle séparant le blindage des lignes RF. Les signaux à basse fréquence se situent sur des lignes de signal au-dessous de la couche métallique supérieure.</p> |
