半导体元件的结构

摘要

一种半导体元件的结构，其利用特殊的通孔图形，将金属间介电层(ILD)分隔为多个独立块，以使因引线键合所造成的裂痕受到限制，而降低裂痕产生的机率。且应用单一层本发明的通孔图形，特别是当此通孔越靠近上层引线键合的位置，即可有效地减少焊垫裂痕的产生。若是利用两层本发明的通孔图形，则可完全避免焊垫裂痕的产生。

主权项

1.一种半导体元件的结构，可有效减少芯片封装时因引线键合而造成的破裂，其中，该半导体元件的结构包括：一基材；一层间介电层，形成于该基材上；一第一金属层，形成于该层间介电层上；一第二金属层，位于该第一金属层上方，且该第一金属层与该第二金属层之间有一第一金属间介电层，且该第一金属间介电层有多个第一通孔；以及一第三金属层，位于该第二金属层上方，且该第二金属层与该第三金属层之间有一第二金属间介电层，且该第二金属间介电层有多个第二通孔；藉由该些第二通孔的上表面所形成的一特殊图形，而将该第二金属间介电层区隔为多个独立的介电材料块，以有效减少引线键合时所造成的破裂。