| 发明名称 | 具有无凹痕浅槽隔离的半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明所公开的制造半导体器件的方法具有如下步骤：使用包括第一氮化硅膜并具有窗口的图案作为掩模来蚀刻半导体衬底，以形成隔离沟槽；沉积第二氮化硅膜，使其覆盖隔离沟槽的内表面；形成第一氧化硅膜，使其掩埋隔离沟槽；蚀刻并去除隔离沟槽上部区域中的第一氧化硅膜；蚀刻并去除暴露出的第二氮化硅膜；对第二氧化硅膜进行化学机械抛光；以及蚀刻并去除暴露出的第一氮化硅膜。 | ||
| 申请公布号 | CN1298042C | 申请公布日期 | 2007.01.31 |
| 申请号 | CN200310121509.3 | 申请日期 | 2003.12.16 |
| 申请人 | 富士通株式会社 | 发明人 | 大田裕之 |
| 分类号 | H01L21/76(2006.01);H01L21/31(2006.01) | 主分类号 | H01L21/76(2006.01) |
| 代理机构 | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 杜娟;董方源 |
| 主权项 | 1.一种制造半导体器件的方法，包括如下步骤：(a)在半导体衬底的表面上形成图案，所述图案包括第一氮化硅膜并具有用于形成隔离沟槽的窗口；(b)用所述图案作为掩模蚀刻所述半导体衬底，以形成隔离沟槽；(c)沉积覆盖所述隔离沟槽内表面的第二氮化硅膜；(d)形成覆盖所述第二氮化硅膜并掩埋所述隔离沟槽的第一氧化硅膜；(f)蚀刻所述第一氧化硅膜，以去除在所述隔离沟槽上部区域中的所述第一氧化硅膜；(g)蚀刻并去除所述第二氮化硅膜的暴露部分；(h)形成掩埋所述隔离沟槽的第二氧化硅膜；(i)用所述第一氮化硅膜作为停止物，对所述第二氧化硅膜进行化学机械抛光；以及(j)蚀刻并去除暴露出的所述第一氮化硅膜，其中，所述第二氮化硅膜的厚度是20到40nm。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||