| 摘要 |
환류 다이오드로서 쇼트키 배리어 다이오드를 내장한 반도체 장치에 있어서, 환류 상태에서 최대 유니폴라 전류를 증대시키고, 또한 오프 상태에서 리크 전류를 저감한다. 제 1 도전형의 드리프트층(20)의 표층 측에 마련된 서로 인접하는 제 2 도전형의 웰 영역(30) 사이의 표면 중, 적어도 일부에 쇼트키 전극(75)을 구비하며, 쇼트키 전극(75)의 하부에 있고, 또한 서로 인접하는 상기 웰 영역(30) 사이에 있는 제 1 영역내의 제 1 도전형의 불순물 농도를, 드리프트층(20)의 제 1 도전형의 제 1 불순물 농도보다 높고, 또한 웰 영역(30)의 제 2 도전형의 제 2 불순물 농도보다 낮게 한다. |
