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Eine 3D-NAND-Speicherstruktur Speicherstruktur mit verbessertem Prozessspielraum und erhöhtem Leistungsgrad wird bereitgestellt. Eine solche Speicherstruktur kann ein Steuer-Gate-Material und ein schwebendes Gate-Material, die zwischen einer ersten isolierenden Schicht und einer zweiten isolierenden Schicht angeordnet sind, eine zwischen dem Steuer-Gate-Material und dem schwebenden Gate-Material angeordnete Metallschicht, eine Interpolydielektrikums(IPD)-Schicht, die zwischen der Metallschicht und dem Steuer-Gate-Material angeordnet ist, sodass die IPD-Schicht das Steuer-Gate-Material von dem schwebenden Gate-Material elektrisch isoliert, und ein Tunneldielektrikumsmaterial, das mit dem schwebenden Gate-Material gekoppelt ist, gegenüber dem Steuer-Gate-Material umfassen. |
