| 发明名称 | 半导体晶片表面保护用粘着膜、以及使用粘着膜的半导体晶片的保护方法和半导体装置的制造方法 | ||
| 摘要 | 半导体晶片表面保护用粘着膜具有基材膜和粘着剂层，该粘着剂层位于上述基材膜的一个表面上。粘着剂层以质量比(A/B)：57/43～90/10含有：动态粘弹性的tanδ达到最大时的温度(Ta)超过0℃的聚合物(A)与动态粘弹性的tanδ达到最大时的温度(Tb)为0℃以下的聚合物(B)。聚合物(A)包含来源于丙烯腈或甲基丙烯腈的结构单元22质量％～30质量％。半导体晶片表面保护用粘着膜在剥离速度10mm/min下的粘着力为1.0N/25mm以上。 | ||
| 申请公布号 | CN105981138A | 申请公布日期 | 2016.09.28 |
| 申请号 | CN201580008260.6 | 申请日期 | 2015.02.12 |
| 申请人 | 三井化学东赛璐株式会社 | 发明人 | 栗田恭三 |
| 分类号 | H01L21/304(2006.01)I;B32B27/00(2006.01)I;C09J7/02(2006.01)I;C09J133/20(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/304(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人 | 金鲜英;李宏轩 |
| 主权项 | 一种半导体晶片表面保护用粘着膜，其在剥离速度10mm/min下的粘着力为1.0N/25mm以上，所述半导体晶片表面保护用粘着膜具有基材膜和粘着剂层，所述粘着剂层位于所述基材膜的一个表面上，所述粘着剂层以质量比(A/B)：57/43～90/10含有：动态粘弹性的tanδ达到最大时的温度(Ta)超过0℃的聚合物(A)、与动态粘弹性的tanδ达到最大时的温度(Tb)为0℃以下的聚合物(B)，所述聚合物(A)包含来源于丙烯腈或甲基丙烯腈的结构单元22质量％～30质量％。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||