发明名称 CONTROLLING AZIMUTHAL UNIFORMITY OF ETCH PROCESS IN PLASMA PROCESSING CHAMBER
摘要 플라즈마 처리 챔버 내에서의 에칭 프로세스에서 방위 방향 불균일을 제어하기 위한 장치, 시스템 및 방법이 제공된다. 일 실시예에서, 플라즈마 처리 장치는 플라즈마 처리 챔버 및 플라즈마 처리 챔버 위로 배치된 RF 케이지를 포함할 수 있다. 유전 윈도우(dielectric window)는 플라즈마 처리 챔버와 RF 케이지를 분리할 수 있다. 장치는 유전 윈도우 위로 배치된 플라즈마 생성 코일을 포함할 수 있다. 플라즈마 생성 코일은 전기를 공급받을 때 플라즈마 처리 챔버 내에 유도 결합 플라즈마를 생성하도록 동작 가능할 수 있다. 장치는 플라즈마 생성 코일의 적어도 일부에 근접하게 RF 케이지 내에 배치된 도전성 표면을 더 포함한다. 도전성 표면은 플라즈마 생성 코일이 전기를 공급받을 때 도전성 표면과 플라즈마 생성 코일 사이에 방위 방향으로 가변하는 유도 결합(azimuthally variable inductive coupling)을 생성하도록 배치된다.
申请公布号 KR20160123388(A) 申请公布日期 2016.10.25
申请号 KR20167027864 申请日期 2016.03.17
申请人 MATTSON TECHNOLOGY, INC. 发明人 NAGORNY VLADIMIR
分类号 H01L21/3065;H01J37/32;H01L21/02;H01L21/3213;H05H1/46 主分类号 H01L21/3065
代理机构 代理人
主权项
地址