| 摘要 |
<p>L'invention concerne une structure micro-électronique comportant une protection améliorée contre la contamination par l'hydrogène d'un diélectrique sensible à l'hydrogène. Selon l'invention, ce diélectrique sensible à l'hydrogène (14) est recouvert d'au moins un oxyde intermédiaire (18) dont l'épaisseur de matériau représente au moins cinq fois l'épaisseur du diélectrique sensible à l'hydrogène. L'oxyde intermédiaire (18) sert également de diélectrique intermétallique et comporte donc à sa surface une couche de métallisation. Suffisamment épais, cet oxyde intermédiaire (18) absorbe l'hydrogène éventuellement libéré lors de la séparation d'une couche barrière à l'hydrogène (22, 26) et protège ainsi le diélectrique sensible à l'hydrogène (14).</p> |
