发明名称 高电源电压抑制比无片外电容低压差调节器
摘要 本发明公开一种高电源电压抑制比无电容低压差调节器,包括误差放大器、输出级PMOS管、第一补偿电容、第一电阻及第二电阻,在误差放大器的电源电压和输出级之间引入一个增益为-1的信号通路以抵消输出级的负面影响,从而获得高电源电压抑制比,通过本发明,获得了理想的高电源电压抑制比。
申请公布号 CN103279163B 申请公布日期 2016.06.29
申请号 CN201310217394.1 申请日期 2013.06.03
申请人 上海华虹宏力半导体制造有限公司 发明人 徐光磊
分类号 G05F1/56(2006.01)I 主分类号 G05F1/56(2006.01)I
代理机构 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 代理人 郑玮
主权项 一种高电源电压抑制比无片外电容低压差调节器,包括误差放大器、输出级PMOS管、第一补偿电容、第一电阻及第二电阻,其特征在于:在误差放大器的电源电压和输出级之间引入一个增益为‑1的信号通路以抵消输出级的负面影响,从而获得高电源电压抑制比;其中,该误差放大器包括第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管以及第二补偿电容,该第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管源极均接于该电源电压,该第一PMOS管栅漏相接并接于该第三PMOS管栅极与该第一NMOS管漏极,该第二PMOS管栅漏相接并接于该第四PMOS管栅极及该第二NMOS管漏极,该第三PMOS管漏极接栅漏相连的该第三NMOS管的漏极,该第三NMOS管栅极接该第四NMOS管栅极,源极接地,该第四PMOS管漏极接该第一补偿电容、该输出级PMOS管栅极及该第四NMOS管漏极,该第四NMOS管源极接地,该第二补偿电容一端接于该第四PMOS管栅极,另一端接第一参考电压,该第一NMOS管栅极接第二参考电压,源极与该第二NMOS管的源极通过电流源接地,该第二NMOS管栅极接该第一电阻与该第二电阻的中间节点。
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