Bauelement mit einer Mehrfachquantentopfstruktur

摘要

Es wird ein Bauelement (10) mit einer Halbleiterschichtenfolge angegeben, die eine p-leitende Halbleiterschicht (1), eine n-leitende Halbleiterschicht (2) und eine zwischen der p-leitenden Halbleiterschicht und der n-leitenden Halbleiterschicht angeordnete aktive Zone (3) aufweist, wobei die aktive Zone eine Mehrfachquantentopfstruktur aufweist, die von der p-leitenden Halbleiterschicht zur n-leitenden Halbleiterschicht hin eine Mehrzahl von p-seitigen Barriereschichten (32p) mit dazwischenliegenden Quantentopfschichten (31) und eine Mehrzahl von n-seitigen Barriereschichten (32n) mit dazwischenliegenden Quantenschichten (31) aufweist. In der Halbleiterschichtenfolge seitens der p-leitenden Halbleiterschicht sind Vertiefungen (4) gebildet, die Flanken aufweisen, wobei die Quantentopfschichten und/oder die n-sowie p-seitigen Barriereschichten zumindest bereichsweise konform zu den Flanken der Vertiefungen verlaufen. Die n-seitigen Barriereschichten weisen eine größere mittlere Schichtdicke auf als die p-seitigen Barriereschichten.