| 发明名称 |
FORMATION OF GATE ELECTRODE FOR FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
JPH0372635(A) |
申请公布日期 |
1991.03.27 |
| 申请号 |
JP19890064762 |
申请日期 |
1989.03.16 |
| 申请人 |
OKI ELECTRIC IND CO LTD |
发明人 |
SAITO TADASHI;NISHI SEIJI;FUJISHIRO HIRONORI |
| 分类号 |
H01L29/812;H01L21/338;H01L29/47;H01L29/778;H01L29/872 |
主分类号 |
H01L29/812 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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