发明名称 | 用于开关式射频功率放大器的激励电路 | ||
摘要 | 一般而言,本发明提供一种RF放大电路体系结构,该结构能够在不使匹配网络和负载网络复杂化的情况下,获得高效率。有源设备可以是双极晶体管类型或FET(场效应晶体管)类型。提供各类有源设备的简单激励电路。根据本发明的一种实施方式,单端开关式RF放大器包括一个RF输入信号;一个具有控制终端的有源设备;和一个非谐振激励电路,用于接收RF输入信号并控制应用于控制终端的信号,以便以开关模式操作有源设备。 | ||
申请公布号 | CN1371546A | 申请公布日期 | 2002.09.25 |
申请号 | CN00812057.9 | 申请日期 | 2000.07.31 |
申请人 | 特罗皮亚恩公司 | 发明人 | 温德尔·桑德;小厄尔·W·麦丘恩;罗纳德·A·迈克 |
分类号 | H03F1/56 | 主分类号 | H03F1/56 |
代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 蒋世迅 |
主权项 | 1.一种单端开关式RF放大器,包括:一个RF输入信号;一个具有控制终端的有源设备;以及一个激励电路,用于接收RF输入信号并控制应用于控制终端的信号,以便以开关方式操作有源设备。 | ||
地址 | 美国加利福尼亚 |