半导体装置及其制造方法

摘要

在形成覆盖强电介质电容器的层间绝缘膜(14)后，形成氢扩散防止膜(18)、蚀刻阻止膜(19)以及层间绝缘膜(20)。然后，通过单金银线织法，在层间绝缘膜(20)内，形成具有TaN膜(21)(势垒金属膜)以及Cu膜(22)的配线。其后，进一步通过双金银线织法，形成具有Cu膜(29)的配线以及具有Cu膜(36)的配线等。

主权项

1.一种半导体装置，其特征在于，具有：半导体基板；形成于上述半导体基板的上方的强电介质电容器；覆盖上述强电介质电容器的被平坦化的第一层间绝缘膜；形成在上述层间绝缘膜上的氢扩散防止膜；形成在上述氢扩散防止膜上的蚀刻阻止膜；形成在上述蚀刻阻止膜上的第二层间绝缘膜；与上述强电介质电容器的电极连接，但不含有Cu的配线；被埋入上述第二层间绝缘膜内，含有Cu，并与上述强电介质电容器连接的配线，上述含有Cu的配线通过上述不含有Cu的配线，与上述强电介质电容器的电极电连接。