Schutzschicht auf der Finne einer Finnen-Feldeffekttransistor-(FinFET-) Bauelementstruktur

摘要

Es werden eine Finnen-Feldeffekttransistoren-Bauelementstruktur und ein Verfahren zum Bilden derselben bereitgestellt. Die FinFET-Bauelementstruktur beinhaltet ein Substrat und eine Finnenstruktur, die sich vom Substrat aus erhebt. Die FinFET-Bauelementstruktur beinhaltet außerdem eine Isolationsstruktur, die auf dem Substrat gebildet ist. Die Finnenstruktur weist einen oberen Abschnitt und einen unteren Abschnitt auf und der untere Abschnitt ist in die Isolationsstruktur eingebettet. Die FinFET-Bauelementstruktur beinhaltet ferner eine Schutzschicht, die auf dem oberen Abschnitt der Finnenstruktur gebildet ist. Zwischen der Schutzschicht und dem oberen Abschnitt der Finnenstruktur liegt eine Grenzfläche und diese Grenzfläche weist eine Rauigkeit im Bereich von etwa 0,1 bis etwa 2,0 nm auf.