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리소그래피 공정을 이용하여 생성된 구조체 내에서 에지 배치 오차를 결정하는 방법이 개시되고, 상기 방법은: (a) 리소그래피 공정을 이용하여 생성된 제 1 구조체를 포함한 기판을 수용하는 단계 -상기 제 1 구조체는 제 1 및 제 2 층들을 포함하고, 상기 층들 각각은 전기 전도성 재료의 제 1 영역들 및 비-전기 전도성 재료의 제 2 영역들을 가짐- ; (b) 상기 리소그래피 공정 동안 제 1 구조체 내의 제 2 층의 제 1 영역들과 제 2 영역들 사이의 에지들에 대한 제 1 층의 제 1 영역들과 제 2 영역들 사이의 에지들의 타겟 위치를 나타내는 제 1 타겟 상대 위치를 나타내는 타겟 신호를 수용하는 단계; (c) 광학 방사선으로 제 1 구조체를 조명하는 동안에 산란된 방사선을 검출하여, 제 1 신호를 얻는 단계; 및 (d) 제 1 신호 및 제 1 타겟 상대 위치에 기초하여 에지 배치 오차 파라미터를 알아내는 단계를 포함한다. |
