发明名称 | 硅绝缘体结构半导体器件 | ||
摘要 | 一种SOI结构的半导体器件,包括:浮置状态下的表面半导体层,该层叠置于掩埋绝缘膜上,以便构成SOI衬底;第二导电类型的源/漏区,它们形成于所说表面半导体层中;位于源/漏之间的第一导电类型的沟道区;通过栅绝缘膜形成于沟道区上的栅极;其中表面半导体层具有在栅宽度方向上、在和/或靠近沟道区的至少一端形成于其中的第一导电类型的位阱。 | ||
申请公布号 | CN1190854C | 申请公布日期 | 2005.02.23 |
申请号 | CN01117888.4 | 申请日期 | 2001.04.04 |
申请人 | 夏普公司 | 发明人 | A·O·阿丹 |
分类号 | H01L29/78;H01L27/12 | 主分类号 | H01L29/78 |
代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 陈霁;梁永 |
主权项 | 1、一种SOI结构的半导体器件,包括:浮置状态下的表面半导体层,该层叠置于掩埋绝缘膜上,以便构成SOI衬底;第二导电类型的源/漏区,它们形成于所说表面半导体层中;位于漏/漏区之间的第一导电类型的沟道区;和通过栅绝缘膜形成于沟道区上的栅极;其中表面半导体层具有在栅宽度方向上仅在沟道区和/或靠近沟道区的一端形成于其中的第一导电类型的仅仅一个单一的位阱。 | ||
地址 | 日本大阪市 |