Herstellungsverfahren zur Bildung eines Transistors mit versenktem Kanal, Verfahren zur Bildung einer entsprechenden integrierten Halbleiterspeichervorrichtung und entsprechende selbstjustierte Maskenanordnung

摘要

Die vorliegende Erfindung stellt ein Verfahren zum Bilden eines Transistors bereit, umfassend die Schritte: Bilden einer Vielzahl von Reihen aktivierter Gebiete auf einem Halbleitersubstrat mit einer Oberfläche, wobei die Reihen unterteilt sind durch Aufteilungsstrukturen, welche eine von der Substrat-Oberfläche unterschiedliche Oberflächenhöhe aufweisen; Bilden einer ersten und einer zweiten Ausdehnung, angeordnet oberhalb der aktiven Gebiete und benachbart zu den Aufteilungsstrukturen; Bilden von Vorrichtungen mit versenktem Kanal in den Aktivgebiet-Segmenten in dem verbleibenden Bereich des Aktivgebiet-Segments zwischen den Ausdehnungen.