Umgekehrt leitender bipolarer Transistor mit isoliertem Gate

摘要

Eine Halbleiterschicht eines umgekehrt leitenden bipolaren Transistors mit isoliertem Gate ist mit einem Barrierenbereich des ersten Leitfähigkeitstyps versehen, wobei der Barrierenbereich in dem Körperbereich angeordnet ist und elektrisch mit der Emitterelektrode über ein Säulenbauteil verbunden ist, das sich von der einen der Hauptoberflächen der Halbleiterschicht erstreckt. Der Barrierenbereich enthält einen ersten Barrierenteilbereich, wobei ein Abstand zwischen dem ersten Barrierenteilbereich und dem Driftbereich ein erster Abstand ist, und einen zweiten Barrierenteilbereich, wobei ein Abstand zwischen dem zweiten Barrierenteilbereich und dem Driftbereich ein zweiter Abstand ist, der größer als der erste Abstand ist. Der zweite Barrierenteilbereich ist in Kontakt mit einer Seitenoberfläche eines isolierten Grabengates.