半導体基板、半導体基板の製造方法及び複合基板の製造方法

摘要

半導体結晶層形成基板の上に、第１半導体結晶層、第２半導体結晶層および第３半導体結晶層をこの順に有し、第１半導体結晶層の第１エッチング剤によるエッチング速度および第３半導体結晶層の第１エッチング剤によるエッチング速度の何れもが、第２半導体結晶層の第１エッチング剤によるエッチング速度よりも大きく、第１半導体結晶層の第２エッチング剤によるエッチング速度および第３半導体結晶層の第２エッチング剤によるエッチング速度の何れもが、第２半導体結晶層の第２エッチング剤によるエッチング速度よりも小さい半導体基板を提供する。