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Hierin ist ein bipolarer Transistor offenbart, der in der Lage ist, eine Stromverstärkungsrate zu verbessern, während eine Spannungsfestigkeit verbessert wird. Ein bipolarer Transistor 10 ist mit einem Emitterbereich 40 des p-Typs, einem Kollektorbereich 20 des p-Typs, einem Basisbereich 30 des n-Typs, der zwischen dem Emitterbereich 40 und dem Kollektorbereich 20 lokalisiert ist, einem ersten eingebetteten Bereich 50 des p-Typs, der unter dem Basisbereich 30 lokalisiert ist, einem Bereich 18 des n-Typs, der eine niedrigere Verunreinigungskonzentration des n-Typs als der Basisbereich 30 hat, in Kontakt mit dem Emitterbereich 40, dem Kollektorbereich 20, dem Basisbereich 30 und dem ersten eingebetteten Bereich 50 steht, den Emitterbereich 40 von dem Basisbereich 30 und dem ersten eingebetteten Bereich 50 trennt, und den Kollektorbereich 20 von dem Basisbereich 30 und dem ersten eingebetteten Bereich 50 trennt, bereitgestellt. Ein Teil des Basisbereichs 30 steht hin zu einer Seite des Kollektorbereichs 20 bezogen auf den ersten eingebetteten Bereich 50 vor. |
