| 摘要 |
第１絶縁膜の内側に、第１トレンチ（２１）の一方の側壁に沿って設けられるとともに、第２トレンチ（４０）の内部に設けられた第１ゲート電極（２２ａ）と、第２絶縁膜の内側に、第１トレンチ（２１）の他方の側壁に沿って設けられるとともに、第３トレンチ（５０）の内部に設けられたシールド電極（２２ｂ）と、第２トレンチ（４０）が延長されることによって、一部が第１ゲート電極（２２ａ）上に設けられ、第１ゲート電極（２２ａ）と接続されたゲートランナーと、第３トレンチ（５０）が延長されることによって、一部がシールド電極（２２ｂ）上に設けられ、シールド電極（２２ｂ）と接続されたエミッタポリシリコン層（２５ａ）と、を備えることを特徴とする半導体装置により、わずかなプロセス工程数の増加で、コスト増加、良品率の低下を抑えながら、ターンオン特性を改善した。 |
