金属基板

摘要

半導体を利用した電子機器に用いられる、耐熱性に優れた金属基板が提供される。前記金属基板は、基材層１と、前記基材層１に接合された反応抑制層２を備える。前記基材層１は、純鉄、炭素鋼、ステンレス鋼、鉄−ニッケル合金のような鉄基材で形成される。前記反応抑制層２はＳｉ量が０．２mass％以上，８．５mass％以下、好ましくは０．４mass％以上，１．６mass％以下のＡｌ−Ｓｉ合金で形成される。前記反応抑制層２の外側表面にアルミニウム層が接合されてもよい。