半导体器件及其制造方法

摘要

本发明涉及半导体器件及其制造方法。这里公开的一种半导体器件包括：第一导电类型的第一半导体区域；第二半导体区域，具有成对交替设置的第一导电类型的第一柱区和第二导电类型的第二柱区；第二导电类型的第三半导体区域；第一导电类型的第四半导体区域；控制电极，各个控制电极隔着绝缘膜设在沟槽内，该沟槽的侧壁被形成为与第三半导体区域和第四半导体区域中的每一个相接触。

主权项

1.一种半导体器件，包括：第一导电类型的第一半导体区域，布置在第一电极侧；第二半导体区域，具有所述第一导电类型的第一柱区和第二导电类型的第二柱区，其中所述第一柱区和所述第二柱区成对地沿第二电极侧的表面交替设置，所述第二电极布置在与所述第一半导体区域的所述第一电极相反的一侧；所述第二导电类型的第三半导体区域，形成在所述第二半导体区域的所述第二电极侧的表面部分上；所述第一导电类型的第四半导体区域，形成在所述第三半导体区域的一部分表面上以与所述第二电极相连接；以及控制电极，各自隔着绝缘膜设在沟槽内，所述沟槽的侧壁被形成为与所述第三半导体区域和所述第四半导体区域中的每一个相接触，其中，所述第二柱区是通过外延生长而在所述第二半导体区域中所形成的各个所述沟槽中填充所述第二导电类型的半导体而形成的，并且在同一方向上以条带形状布置在元件部分中，所述元件部分中布置有所述第三半导体区域和所述第四半导体区域，所述第一柱区被形成为各自被夹在每两个第二柱区之间的区域，并且所述控制电极被以条带形状布置，从而与所述第二柱区的条带的纵向成45°角而相交。