| 发明名称 |
Insulated gate bipolar transistor and method of making the same |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
EP1246255(A3) |
申请公布日期 |
2004.09.22 |
| 申请号 |
EP20020252289 |
申请日期 |
2002.03.28 |
| 申请人 |
KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA |
发明人 |
KOBAYASHI, MOTOSHIGE;NOZAKI, HIDEKI |
| 分类号 |
H01L29/70;H01L21/331;H01L29/36;H01L29/739;(IPC1-7):H01L29/739 |
主分类号 |
H01L29/70 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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