| 发明名称 | 半导体集成电路器件 | ||
| 摘要 | 提供一种虚拟MOSFET，其与构成CMOS输出电路的N沟道输出MOSFET的栅极共同连接，并且将其设置成具有对应于构成CMOS输出电路的P沟道输出MOSFET的栅极电容与N沟道输出MOSFET的栅极电容之间的差的栅极电容。将N沟道输出MOSFET的输入电容和P沟道输出MOSFET的输入电容设置成彼此相等。 | ||
| 申请公布号 | CN1881801A | 申请公布日期 | 2006.12.20 |
| 申请号 | CN200610091765.6 | 申请日期 | 2006.06.12 |
| 申请人 | 株式会社瑞萨科技 | 发明人 | 丰岛博 |
| 分类号 | H03K17/16(2006.01) | 主分类号 | H03K17/16(2006.01) |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人 | 王英 |
| 主权项 | 1、一种半导体集成电路器件，包括：N沟道输出MOSFET；P沟道输出MOSFET；以及虚拟MOSFET，其栅极连接到所述N沟道输出MOSFET的栅极，其中所述虚拟MOSFET具有对应于所述P沟道输出MOSFET的栅极电容和所述N沟道输出MOSFET的栅极电容之间的差的栅极电容。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||