| 发明名称 | 记忆胞及其鉴别方法以及记忆体阵列及其检测方法 | ||
| 摘要 | 本发明是有关于一种氮化物唯读记忆体元件，包括记忆胞和第一、第二位元线。第一、第二位元线与记忆胞的相对两侧耦接。在抹除操作中，记忆胞的一侧接收正电压，而另一侧与一共通节点或受限电流源耦接。还揭示了一种方法，能够根据记忆胞的临界电压分布容易地鉴别边缘记忆胞。 | ||
| 申请公布号 | CN1881470A | 申请公布日期 | 2006.12.20 |
| 申请号 | CN200510117374.2 | 申请日期 | 2005.11.03 |
| 申请人 | 旺宏电子股份有限公司 | 发明人 | 谢文义;林清淳;陈耕晖;洪俊雄 |
| 分类号 | G11C16/02(2006.01);H01L27/115(2006.01);H01L21/8247(2006.01);H01L29/78(2006.01) | 主分类号 | G11C16/02(2006.01) |
| 代理机构 | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 寿宁;张华辉 |
| 主权项 | 1.一种氮化物唯读记忆体阵列，包括：多个记忆胞；和第一、第二位元线，所述第一、第二位元线耦接到所述记忆胞的相对两侧，在抹除操作中，记忆胞的一侧接收一个正电压而另一侧耦接到一共通节点或受限电流源。 | ||
| 地址 | 中国台湾 | ||