| 发明名称 | 半导体基底处理装置、方法和介质 | ||
| 摘要 | 公开了一种半导体基底处理装置。所述半导体基底处理装置能够将具有相同频率的RF能量提供到上电极和下电极，以产生不同程度的均匀性，并且控制RF能量的能量比，从而提高半导体基底的处理均匀性。所述装置包括：真空室，用于容纳半导体基底；上电极和下电极，置于所述真空室中；RF能量供应器，用于将具有相同频率的RF能量提供到上电极和下电极；控制器，用于控制从RF能量供应器供应到上电极和下电极的RF能量的能量比。 | ||
| 申请公布号 | CN101086953A | 申请公布日期 | 2007.12.12 |
| 申请号 | CN200710096488.2 | 申请日期 | 2007.04.19 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 金明云;韩文炯 |
| 分类号 | H01L21/00(2006.01);H01L21/67(2006.01);H01J37/32(2006.01);H01J37/00(2006.01);H05H1/00(2006.01);H05H1/02(2006.01);H05H1/46(2006.01) | 主分类号 | H01L21/00(2006.01) |
| 代理机构 | 北京铭硕知识产权代理有限公司 | 代理人 | 韩明星;李云霞 |
| 主权项 | 1、一种半导体基底处理装置，包括：真空室，用于容纳半导体基底；上电极和下电极，置于真空室内；RF能量供应器，将具有相同频率的RF能量供应到上电极和下电极；控制器，控制从RF能量供应器供应到上电极和下电极的RF能量的能量比。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道水原市灵通区梅滩3洞416 | ||