| 发明名称 | 制造底栅型薄膜晶体管的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种制造底栅型薄膜晶体管TFT的方法，其中具有大晶粒尺寸的多晶沟道区相对简单且容易地形成。制造底栅薄膜晶体管的该方法包括：在基板上形成底栅电极；在所述基板上形成栅极绝缘层从而覆盖所述栅电极；在所述栅极绝缘层上形成非晶半导体层；构图所述非晶半导体层从而在所述栅电极上形成非晶沟道区；利用激光退火方法熔化所述非晶沟道区；以及晶化所述熔化的非晶沟道区从而形成横向生长的多晶沟道区。 | ||
| 申请公布号 | CN101086969A | 申请公布日期 | 2007.12.12 |
| 申请号 | CN200710088997.0 | 申请日期 | 2007.03.29 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 林赫;朴永洙;鲜于文旭;赵世泳;殷华湘 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01);H01L21/20(2006.01);H01L21/268(2006.01) | 主分类号 | H01L21/336(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 张波 |
| 主权项 | 1.一种制造底栅型薄膜晶体管TFT的方法，该方法包括：在基板上形成底栅电极；在所述基板上形成栅极绝缘层从而覆盖所述栅电极；在所述栅极绝缘层上形成非晶半导体层；构图所述非晶半导体层从而在所述栅电极上形成非晶沟道区；利用激光退火方法熔化所述非晶沟道区；以及晶化所述熔化的非晶沟道区从而形成横向生长的多晶沟道区。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||