| 发明名称 | 单晶提拉装置用石墨坩埚及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种能够长寿命化的单晶提拉装置用石墨坩埚及其制造方法。保持石英坩埚(1)的石墨坩埚(2)由作为石墨坩埚成形体的石墨坩埚基材(3)和在石墨坩埚基材(3)的整个表面形成的覆膜(4)构成，该覆膜(4)含有酚醛树脂的碳化物。酚醛树脂被浸渗至在石墨坩埚基材(3)表面存在的开气孔(5)的内部。覆膜(4)的形成不限于石墨坩埚的整个表面，也可以仅为容易进行SiC化的部分。例如，在坩埚的仅整个内表面析出，或者还可在内表面当中的仅弯曲部(小R部)、或仅弯曲部和直体部析出。 | ||
| 申请公布号 | CN103249876B | 申请公布日期 | 2016.06.29 |
| 申请号 | CN201280003981.4 | 申请日期 | 2012.01.30 |
| 申请人 | 东洋炭素株式会社 | 发明人 | 冈田修;广濑芳明;横井智光;荻田泰久 |
| 分类号 | C30B15/10(2006.01)I;C04B41/87(2006.01)I;C30B29/06(2006.01)I | 主分类号 | C30B15/10(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 张玉玲 |
| 主权项 | 一种单晶提拉装置用石墨坩埚，其特征在于，浸渗于石墨坩埚基材的表面存在的开气孔中的酚醛树脂被碳化，并使用作为石墨坩埚基材的特性具有体积密度为1.70Mg/m<sup>3</sup>以上、弯曲强度为30MPa以上、肖氏硬度为40以上的值的基材。 | ||
| 地址 | 日本国大阪府 | ||