THERALLY-ASSISTED COLD-WELD BONDING FOR EPITAXIAL LIFT-OFF PROCESS

摘要

본 발명에는 박막 광전자 디바이스를 조립하는 공정이 개시된다. 이 공정은 성장 표면을 갖는 웨이퍼, 희생 층 및 디바이스 영역을 포함하는 성장 구조체를 제공하는 단계를 포함할 수 있다. 공정은 호스트 기판을 제공하는 단계, 및 디바이스 영역 상에 제1 금속 층을 침착시키는 단계와 호스트 기판 상에 제2 금속 층을 침착시키는 단계를 더 포함할 수 있다. 공정은 본딩 온도에서 제1 금속 층 및 제2 금속 층을 함께 압착함으로써 제2 금속 층에 제1 금속 층을 본딩하는 단계로서, 여기서 본딩 온도는 실온 이상 및 호스트 기판의 유리 전이 온도와 호스트 기판의 용융 온도 중 더 낮은 것 이하인 단계를 더 포함할 수 있다.