| 发明名称 | 利用复合氧化膜的槽式隔离法 | ||
| 摘要 | 提供一种使用两种类型的氧化膜的槽式隔离法。按照本方法,用两种具有不同的应力特性的相继层叠的氧化膜的复合膜来充填半导体衬底中的槽。对槽充填复合氧化膜进行增密处理。对槽充填复合氧化膜进行平面化处理,直到露出掩模层的上表面为止。这样就在该槽中形成槽充填层。 | ||
| 申请公布号 | CN1206935A | 申请公布日期 | 1999.02.03 |
| 申请号 | CN97126407.4 | 申请日期 | 1997.12.30 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 朴文汉;洪锡薰;申裕均 |
| 分类号 | H01L21/76;H01L21/762 | 主分类号 | H01L21/76 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 王永刚 |
| 主权项 | 1.一种用于半导体器件的槽式隔离法，包括下述步骤：在半导体衬底上形成由复合膜组成的槽充填氧化膜，该复合膜由两个相继层叠的、具有不同的应力特性的层形成，在该半导体衬底上形成用于露出半导体衬底的槽区的掩模层；对该槽充填氧化膜进行增密处理；和对该槽充填氧化膜进行平面化处理，直到露出掩模层的上表面为止，以便在该槽区内形成槽充填层。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||