| 摘要 |
본 발명은 반도체 장치, 더 상세히 말하자면, 반도체 접합 구조와 장치에 관련된 것으로, 반도체 접합 구조는 2 종류가 가능한데 두 개의 반도체 접합 (두 개의 다른 반도체 간 p-n 접합(junction) 또는 화학구조가 다른 헤테로 접합) 또는 반도체와 금속의 (쇼트키 접합, Schottky junction) 접합이 그에 해당하고, 이 같은 접합 방법의 전자기파 변환기나 다른 반도체 장치와 연관성을 갖는다. 반도체 기판에서의 빔 접합은 개별적이며 동일한 접합 수 N은>1로 수행되고, 전류전극을 통해 병렬 회로로 연결되며, 이때 반도체 기반에서의 각각의 개별적이며 동일한 접합 체적은 주 위험 결함을 야기할 수 있는 체적보다는 작게 한다. 이 같은 접합구조는 반도체 기판에 무질서하게 분포하고 있는 결함에 영향을 미치는 반면, 이 같은 결함은 반도체 장치의 전기적 변수에는 영향을 미치지 않는다. |
