| 发明名称 |
METHOD FOR FORMING MONOCRYSTALLINE SILICON LAYER, METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE, AND SEMICONDUCTOR DEVICE |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
EP1018758(A4) |
申请公布日期 |
2002.01.02 |
| 申请号 |
EP19990926854 |
申请日期 |
1999.06.30 |
| 申请人 |
SONY CORPORATION |
发明人 |
YAMOTO, HISAYOSHI;YAMANAKA, HIDEO;SATOU, YUICHI;YAGI, HAJIME |
| 分类号 |
C30B25/02;H01L21/20;H01L21/205;H01L21/336;H01L21/762;H01L21/77;H01L21/84;H01L21/86;H01L29/786;(IPC1-7):H01L21/205;C30B25/18 |
主分类号 |
C30B25/02 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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