| 发明名称 | 并五苯衍生物作为半导体材料的有机场效应晶体管及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明为一种以1，2，3，4，8，9，10，11－八取代并五苯衍生物作为有机半导体材料的有机场效应晶体管(以下简称OFET)及其制备方法。OFET结构有TOP型和Bottom两种，并五苯衍生物的取代基为卤素(F－、Cl－、Br－、I－)。有机半导体的成膜包括并五衍生物直接成膜和通过并五衍生物先驱物间接成膜两种方式。制膜技术可采用真空蒸镀、旋涂、甩膜、铸膜、LB膜、印刷、喷墨打印等。本发明制备方法的条件比较宽松，制备的OFET具有理想的场效应迁移率和电流开关比，且运行稳定性好。 | ||
| 申请公布号 | CN1585151A | 申请公布日期 | 2005.02.23 |
| 申请号 | CN200410024905.9 | 申请日期 | 2004.06.03 |
| 申请人 | 复旦大学 | 发明人 | 黄维;刘承斌 |
| 分类号 | H01L51/20;H01L51/30;H01L51/40 | 主分类号 | H01L51/20 |
| 代理机构 | 上海正旦专利代理有限公司 | 代理人 | 陆飞;沈云 |
| 主权项 | 1.一种有机场效应管，由源极、漏极、有机半导体层、介电层、基底和栅极组成，其特征在于所述的有机半导体层材料采用1，2，3，4，8，9，10，11-八取代并五苯衍生物。 | ||
| 地址 | 200433上海市邯郸路220号 | ||