| 发明名称 | 一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板和显示面板 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板和显示面板，用以节省对半导体氧化物有源层的等离子处理的过程，从而避免等离子体处理过程中对半导体氧化物有源层的破坏。所述薄膜晶体管的制作方法，包括在衬底基板上形成半导体氧化物有源层的图形，该方法还包括:在所述半导体氧化物有源层的非沟道区域上形成非晶碳膜层的图形；在所述非晶碳膜层的图形上形成源极和漏极的图形，所述源极和漏极分别通过所述非晶碳膜层与所述半导体氧化物有源层电性连接。 | ||
| 申请公布号 | CN105977164A | 申请公布日期 | 2016.09.28 |
| 申请号 | CN201610495890.7 | 申请日期 | 2016.06.28 |
| 申请人 | 京东方科技集团股份有限公司 | 发明人 | 王珂 |
| 分类号 | H01L21/34(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I;H01L27/12(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/34(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人 | 黄志华 |
| 主权项 | 一种薄膜晶体管的制作方法，包括在衬底基板上形成半导体氧化物有源层的图形，其特征在于，该方法还包括:在所述半导体氧化物有源层的非沟道区域上形成非晶碳膜层的图形；在所述非晶碳膜层的图形上形成源极和漏极的图形，所述源极和漏极分别通过所述非晶碳膜层与所述半导体氧化物有源层电性连接。 | ||
| 地址 | 100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号 | ||