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发明名称 Verfahren zur Herstellung einer chalkopyrit-Halbleiterschicht
摘要
申请公布号 DE69410137(D1) 申请公布日期 1998.06.18
申请号 DE1994610137 申请日期 1994.02.10
申请人 MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD., KADOMA, OSAKA, JP 发明人 NEGAMI, TAKAYUKI, KATANO CITY, 576, JP;NISHITANI, MIKIHIKO, NARA CITY 631, JP;KOHIKI, SHIGEMI, OSAKA CITY 535, JP;WADA, TAKAHIRO, KATANO CITY 576, JP
分类号 H01L21/363;H01L31/032;H01L31/04;H01L33/28;H01L33/30;H01L33/40;H01S5/00;(IPC1-7):H01L31/032;H01L33/00;H01L31/18 主分类号 H01L21/363
代理机构 代理人
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