高频功率晶体管器件

摘要

一种输出匹配的LDMOS RF功率晶体管器件(100)包括其上制作有多个叉指电极(110)的半导体管芯(108)，电极各具有各自的输入端子(112)和输出端子(114)。输入引线被多个第一导体(105)(例如键合金属丝)耦合到输入匹配电容器(106)的第一端子(107)，以匹配电容器的第二端子耦合到地(145)。匹配电容器的第一端子还被多个第二导体(116)耦合到电极输入端子。隔离于地的导电小岛(120)被多个第三导体(118)耦合到电极输出端子。器件的输出匹配由多个第四导体(122)形成的旁路电感(122)提供，它将输出隔直流电容器(124)的第一端子耦合到导电小岛，以隔直流电容器的第二端子耦合到地。输出引线被多个第五导体(126)耦合到导电小岛。确切地说，导电小岛被排列在半导体管芯附近，而输出隔直流电容器被排列在导电小岛与输出引线之间，使通过将电极输出端子耦合到隔直流电容器的各个多个第三和第四导体的传输电感足够小，以便能够在比较高的工作频率下获得晶体管器件的输出阻抗匹配。

主权项

1.一种射频功率晶体管器件(100)，它包含：(a)其上制作有多个叉指电极(110)的半导体管芯(108)，每个叉指电极(110)具有输入电极端子(112)和输出电极端子(114)；(b)具有被带有输入电感的多个第一导体(105)耦合到一个输入引线(102)的第一端子(107)以及耦合到地的第二端子的输入匹配电容器(106)；所述第一端子(107)被多个第二导体(116)耦合到所述叉指电极(110)的所述各个输入电极端子(112)；(c)具有一个第一端子(125)以及一个连接到地的第二端子的输出隔直流电容器(124)；以及(d)一个输出引线(104)；其特征在于(e)一个配置在所述半导体管芯(108)附近的导电小岛(120)，其被多个第三导体(118)耦合到输出电极端子(114)，所述导电小岛(120)与地之间电隔离；(f)所述输出隔直流电容器(124)的所述第一端子(125)被多个第四导体(122)耦合到所述导电小岛(120)；(g)所述输出引线(104)被带有输出电感的多个第五导体(126)耦合到所述导电小岛(120)；以及所述输出隔直流电容器(124)被安排在所述导电小岛(120)与所述输出引线(104)之间，使得通过将输出电极端子(114)耦合到输出隔直流电容器(124)的各个多个第三(118)和多个第四(122)导体的传输电感小，以便能够在高的工作频率下获得所述晶体管器件的输出阻抗匹配。