Ein Halbleiterbauelement und ein Verfahren zum Bilden eines Halbleiterbauelements
摘要
Ein Halbleiterbauelement umfasst zumindest eine streifenförmige Zellkompensationsregion einer vertikales elektrisches Element-Anordnung, zumindest eine streifenförmige Randkompensationsregion und eine Brückenstruktur. Die zumindest eine streifenförmige Zellkompensationsregion erstreckt sich in ein Halbleitersubstrat und weist einen ersten Leitfähigkeitstyp auf. Ferner ist die zumindest eine streifenförmige Zellkompensationsregion mit einer ersten Elektrodenstruktur der vertikales elektrisches Element-Anordnung verbunden. Die zumindest eine streifenförmige Randkompensationsregion erstreckt sich in das Halbleitersubstrat innerhalb einer Randabschlussregion des Halbleiterbauelements und außerhalb der Zellenregion. Ferner weist die zumindest eine streifenförmige Randkompensationsregion den ersten Leitfähigkeitstyp auf. Die Brückenstruktur verbindet die zumindest eine streifenförmige Randkompensationsregion elektrisch mit der zumindest einen streifenförmigen Zellkompensationsregion innerhalb der Randabschlussregion.
申请公布号
DE102015102136(A1)
申请公布日期
2016.08.18
申请号
DE201510102136
申请日期
2015.02.13
申请人
Infineon Technologies Austria AG
发明人
Tutuc, Daniel;Vörckel, Andreas;Weber, Hans;Hirler, Franz