| 摘要 |
여기에 제공되는 불 휘발성 메모리 장치는 복수의 비트 라인들과 복수의 워드 라인들의 매트릭스 형태로 배열된 메모리 셀들을 갖는 메모리 셀 어레이와; 상기 복수의 비트 라인들은 고속 셀 비트 라인들과 저속 셀 비트 라인들로 구분되며; 상기 복수의 비트 라인들에 각각 대응하는 복수의 레지스터들과; 상기 복수의 비트 라인들과 상기 복수의 레지스터들을 각각 연결하는 스위치 트랜지스터들과; 그리고 상기 복수의 레지스터들을 제어하도록 구성된 제어 로직을 포함하며, 비트 라인 셋업 구간 다음의 비트 라인 강제 구간 동안, 상기 고속 셀 비트 라인들에 대응하는 레지스터들은 상기 스위치 트랜지스터들이 제어 전압으로 구동된 상태에서 상기 고속 셀 비트 라인들로 강제 전압이 전달되도록 상기 제어 로직에 의해서 초기화된다. |
