| 摘要 |
고품질의 탄화 규소 기판 및 고품질의 탄화 규소 기판을 효율적으로 제조 가능한 탄화 규소 기판의 제조 방법을 제공하는 것이다. 탄화 규소 기판(1)은, Si 기판(2)(실리콘 기판)과, Si 기판(2) 상에 적층되고, 탄화 규소를 포함하는 SiC 기초막(3)(탄화 규소 기초막)과, SiC 기초막(3)을 관통하는 결손부(31)(관통 구멍)와, 결손부(31)에 대응해서 Si 기판(2)과 SiC 기초막(3) 사이에 위치하는 공공(32)과, 공공(32) 내의 Si 기판(2)의 표면에 형성되고, 산화 규소를 포함하는 산화막(33)을 갖는다. 또한, SiC 기초막(3) 상에는, SiC 성장층(탄화 규소 성장층)이 형성되어도 된다. |
