| 摘要 |
본 발명은 웨이퍼 레벨 반도체 패키지 및 이의 제조 방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 입출력단자가 융착되는 자리인 언더범프메탈 구조를 외부응력을 분산시켜 완충시킬 수 있는 구조로 새롭게 개선시킨 웨이퍼 레벨 칩 사이즈/스케일 반도체 패키지 및 이의 제조 방법에 관한 것이다. 즉, 본 발명은 반도체 칩의 본딩패드에 형성되는 언더범프 메탈층을 외부응력을 분산시켜 제거할 수 있는 구조로 개선하고, 언더범프 메탈층 위에 입출력단자인 솔더를 도금함으로써, 언더범프 메탈층과 입출력단자 간의 결합력 및 반도체 칩의 본딩패드에 대한 언더범프 메탈층의 결합력 등을 향상시킬 수 있도록 한 웨이퍼 레벨 반도체 패키지 및 이의 제조 방법을 제공하고자 한 것이다. |
