发明名称 | CMOS集成电路中的快速传播技术 | ||
摘要 | 用于CMOS电路的一种快速传播技术,从而以在相对的缘处的较慢的信号转变为代价,实现了在传播的信号的信息携带缘处的更快速的信号转变。本发明的这一技术,使CMOS电路中的P沟道拉起晶体管同N沟道拉下晶体管的大小比值不对称,以在该信号的一个(上升或下降)缘获得快得多的转变,且在相对的缘获得较慢的转变。本发明的快速传播技术特别适合于诸如同步RAM的同步数字CMOS电路。 | ||
申请公布号 | CN1117671A | 申请公布日期 | 1996.02.28 |
申请号 | CN95107431.8 | 申请日期 | 1995.06.30 |
申请人 | 汤森、汤森·库里埃和克鲁法律事务所 | 发明人 | 罗伯特·J·普罗斯汀 |
分类号 | H03K19/017 | 主分类号 | H03K19/017 |
代理机构 | 北京市中原信达知识产权代理公司 | 代理人 | 李强 |
主权项 | 1.在一种其中输入数据只在预定时刻改变的互补型金属氧化物半导体(CMOS)电路中,一种快速传播电路,包括:一个脉冲发生器,用于在一个输入端接收输入信号,并用于在一个输出端产生在该信号的信息携带缘上的窄脉冲;以及一个逻辑电路,它具有P沟道拉起晶体管和N沟道拉下晶体管,并具有用于接收该窄脉冲的输入端,该P沟道和N沟道晶体管的沟道大小具有适当的比值,以获得对信息携带缘的快速信号转变和对相对的缘的缓慢信号转变。 | ||
地址 | 美国加利福尼亚 |