三维掩模编程只读存储器之只读存储元

摘要

本发明提供了一种只读存储元。多个只读存储元通过多根选址线相连，组成一个存储层。多个存储层在衬底上相互重叠。这些存储元可以是掩模编程的或场编程的。由于只读存储元分布在三维空间中，存储器的存储密度和存储容量可极大提高。三维存储器可以广泛地应用在很多领域。

主权项

1.一种三维掩模编程只读存储器的只读存储元，其特征在于：具有第一电极、第二电极，以及在所述第一电极和第二电极之间的准导通膜，当存储元上的电压等于读电压时，所述准导通膜电阻较小，当存储元上的电压小于读电压时，其电阻较大；且处于一三维掩模编程只读存储器中，该三维掩模编程只读存储器含有至少两个相互堆叠并处于衬底上方的只读存储层，所述两个只读存储层含有至少一个掩模编程只读存储层，该掩模编程只读存储层含有所述三维掩模编程只读存储器的只读存储元。