半导体激光器

摘要

提供一种半导体激光器，前端面为低反射率，且由温度变化导致的振荡波长的变化小。该半导体激光器至少具有有源层、包层、和出射光的端面，在其端面上设置有反射率随波长变化的低反射膜，该低反射膜的反射率变成极小的波长位于半导体激光器增益变成最大的波长的靠长波长侧，只在低反射膜的反射率随波长增加而减少的区域半导体激光器的增益和损失变成相等。半导体激光器增益变成最大的波长下的低反射膜的反射率优选为小于等于1％。

主权项

1.一种半导体激光器，至少具有有源层、包层、和出射光的端面，其特征是：在所述端面上设置有反射率随波长变化的低反射膜，所述低反射膜的反射率变成极小的波长位于所述半导体激光器的增益变成最大的波长的长波长一侧，只在所述低反射膜的反射率伴随波长增加而减少的区域，所述半导体激光器的增益和损失变成相等。