| 发明名称 | 采用磁畴壁移动的存储器装置 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种采用磁畴壁移动的存储器装置。该存储器装置包括第一轨道、互连层和第二轨道。包含磁材料的第一轨道沿着第一方向形成。互连层形成在第一轨道上。包含磁材料的第二轨道沿着第二方向形成在互连层上。 | ||
| 申请公布号 | CN101145597A | 申请公布日期 | 2008.03.19 |
| 申请号 | CN200710154094.8 | 申请日期 | 2007.09.14 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 林志庆;金恩植;李成喆 |
| 分类号 | H01L43/08(2006.01);H01L27/22(2006.01);G11C11/15(2006.01);G11C11/16(2006.01) | 主分类号 | H01L43/08(2006.01) |
| 代理机构 | 北京铭硕知识产权代理有限公司 | 代理人 | 郭鸿禧;邱玲 |
| 主权项 | 1.一种存储器装置，包括：第一轨道层，沿着第一方向形成，并包含磁材料；互连层，形成在第一轨道层上；第二轨道层，沿着第二方向形成在互连层上，并包含磁材料，其中，第一轨道层和第二轨道层各具有从互连层延伸的部分，所述部分不与互连层接触，其中，互连层由磁各向异性常数比第一轨道层的磁各向异性常数和第二轨道层的磁各向异性常数低的磁材料形成，其中，第一轨道层、第二轨道层和/或互连层中的至少部分的磁化方向被重新调整。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道水原市灵通区梅滩3洞416 | ||