| 发明名称 | 改善闪存阵列区垫氧层刻蚀过程中硅衬底完整性的方法 | ||
| 摘要 | 一种改善闪存阵列区垫氧层刻蚀过程中硅衬底完整性的方法，包括：在衬底上依次形成垫氧层、氮化硅硬掩模层、底部抗放射涂层以及光刻胶层，并且对光刻胶层进行显影以形成光刻胶图案；利用形成图案的光刻胶层，对氮化硅硬掩模层和底部抗放射涂层进行干法刻蚀以形成氮化硅硬掩模层和底部抗放射涂层的图案；去除光刻胶层和底部抗放射涂层，并去除多聚物残留和表面颗粒；利用形成图案的氮化硅硬掩模层来刻蚀垫氧层以减小暴露的垫氧层区域的厚度；利用形成图案的氮化硅硬掩模层作为阻挡层来进行离子注入；使用湿法刻蚀去除氮化硅硬掩模层；使用湿法刻蚀来清洗晶圆表面，其中湿法刻蚀降低了剩余的垫氧层的厚度。 | ||
| 申请公布号 | CN106128951A | 申请公布日期 | 2016.11.16 |
| 申请号 | CN201610510527.8 | 申请日期 | 2016.06.30 |
| 申请人 | 上海华力微电子有限公司 | 发明人 | 黄海辉;杨渝书;乔夫龙 |
| 分类号 | H01L21/311(2006.01)I;H01L21/8247(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/311(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 智云 |
| 主权项 | 一种改善闪存阵列区垫氧层刻蚀过程中硅衬底完整性的方法，其特征在于包括：第一步骤：在衬底上依次形成垫氧层、氮化硅硬掩模层、底部抗放射涂层以及光刻胶层，并且对光刻胶层进行显影以形成光刻胶图案；第二步骤：利用形成图案的光刻胶层，对氮化硅硬掩模层和底部抗放射涂层进行干法刻蚀以形成氮化硅硬掩模层和底部抗放射涂层的图案；第三步骤：去除光刻胶层和底部抗放射涂层，并去除多聚物残留和表面颗粒；第四步骤：利用形成图案的氮化硅硬掩模层来刻蚀垫氧层以减小暴露的垫氧层区域的厚度；第五步骤：利用形成图案的氮化硅硬掩模层作为阻挡层来进行离子注入；第六步骤：使用湿法刻蚀去除氮化硅硬掩模层；第七步骤：使用湿法刻蚀来清洗晶圆表面，其中湿法刻蚀降低了剩余的垫氧层的厚度。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江开发区高斯路568号 | ||