| 发明名称 | 一种高取向性硒化锑薄膜及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明属于光电材料及薄膜太阳能电池制备领域，公开一种高取向性硒化锑薄膜及其制备方法，尤其是取向良好的硒化锑薄膜，所述高取向性硒化锑薄膜为一维链状材料，良好取向即为沿<002>方向生长的硒化锑链组成的薄膜。所述制备方法，具体为两步，包括：采用热蒸发法或其他方法制备锑金属薄膜，然后进行硒（硫）化处理的方法。本发明中的方法，可获得良好取向的硒化锑薄膜，有希望得到更高效的硒化锑薄膜太阳能电池，且简单易行，成本低廉。 | ||
| 申请公布号 | CN106129143A | 申请公布日期 | 2016.11.16 |
| 申请号 | CN201610505363.X | 申请日期 | 2016.07.01 |
| 申请人 | 武汉光电工业技术研究院有限公司 | 发明人 | 唐江;冷美英;何一粟 |
| 分类号 | H01L31/032(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I;H01L31/0445(2014.01)I | 主分类号 | H01L31/032(2006.01)I |
| 代理机构 | 武汉帅丞知识产权代理有限公司 42220 | 代理人 | 朱必武 |
| 主权项 | 一种高取向性硒化锑薄膜，其特征在于，所述硒化锑薄膜为采用对金属锑薄膜进行硒化处理得到良好取向的硒化锑薄膜，即为沿<002>方向生长的硒化锑链组成的薄膜。 | ||
| 地址 | 430075 湖北省武汉市东湖高新区高新大道未来科技城海外人才大楼 | ||