发明名称 具有III族氮化物有源层和延长寿命的垂直几何结构的发光二极管
摘要 发射可视光谱中蓝光的具有延长寿命特征的发光二极管(20)。它包括:导电SiC衬底(21);在此衬底上的欧姆接触(22);在衬底上的导电缓冲层(23),其组成选自GaN、AlN、InN、分子式为A<SUB>x</SUB>B<SUB>1-x</SUB>N的III族的三元系氮化物且其中A与B为III族中元素而x是0或1或0与1之间的小数、SiC与此III族三元系氮化物的合金;以及双异质结构(24),它包括在缓冲层上的p-n结,其中的有源层(25)与异质结构层(26,27)选自III族的二元系氮化物与三元系氮化物所构成的组。
申请公布号 CN1166890A 申请公布日期 1997.12.03
申请号 CN95195722.8 申请日期 1995.09.19
申请人 克里研究公司 发明人 约汉·阿达姆·埃德蒙德;加利·E·保利曼;孔华双;弗拉基米尔·德米特里也夫
分类号 H01L33/00 主分类号 H01L33/00
代理机构 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人 王以平
主权项 1.发射可见光谱中蓝光的发光二极管,其特征是具有长寿命,此发光二极管包括:导电的SiC衬底(21);形成在此SiC衬底上的欧姆接触(22);在衬底(21)上的导电缓冲层(23),其组成选自GaN、AlN、InN、分子式为AxB1-xN的III族的三元系氮化物且其中A与B为III族中的元素而x是0或1或0与1之间的小数、分子式为AxByC1-x-yN的III族的四元系氮化物且其中A与B与C是III族中的元素而x与y是0或1或0与1之间的小数但是x+y<1、以及SiC与上述III族的三元系和四元系氮化物的合金;以及在上述缓冲层上的p-n结二极管结构(24),其中的p型与n型层选自III族的二元系氮化物和三元系氮化物。
地址 美国北卡罗莱纳